檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜，利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變，分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀，藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜，之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積，在Opf = 100…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法，以氧化鋅為緩衝層並於300度C下以石英及玻璃基板沉積含氮p型氧化鋅薄膜。XRD分析以氮流量0.5及5 sccm沉積之薄膜，5 sccm其(002)繞射峰值往小角度偏移而…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳及氧化鎳摻銅薄膜，並且探討氧氣流量比對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在300C下沉積氧化鎳薄膜，當Opf = 0.5時有NiO (200)…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源同時通入氬氣以及氮氣，以氧化鋅為靶材，成功的製備出摻氮氧氧化鋅薄膜。陽極層離子源具高電流之特性，可以提高濺擊產率增加薄膜沉積速度，且氮…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜，改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度，探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…